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Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
20
10
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
20
10
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
6.5V
150 C
25 C
-55 C
1
6.0V
5.5V
5.0V
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
o
1 10
30
0.1
2
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.0
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
1.5
V GS = 10V
10
o
25 C
o
V GS = 20V
1.0
1
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.5
0
3
6 9
I D , Drain Current [A]
o
12
0.1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.5
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1000
800
C oss
C iss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 120V
V DS = 300V
V DS = 480V
600
*Note:
6
400
200
C rss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
10
0
-1
1 10
30
0
0
3
*Note: I D = 5.5A
6 9 12
15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD7N60NZ / FDU7N60NZTU Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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